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RAD-2510F12Sa晶圓貼合研磨機(jī)

RAD-2510F12Sa晶圓貼合研磨機(jī)

更新日期:2026-07-02

訪(fǎng)問(wèn)量:64

廠(chǎng)商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商

生產(chǎn)地址:日本

簡(jiǎn)要描述:
日本 Adwill-Global RAD-2510F12Sa晶圓貼合研磨機(jī),8/12英寸半導(dǎo)體一體化薄化設(shè)備,集成真空保護(hù)膜貼合、靜壓主軸濕式研磨、在線(xiàn)厚度閉環(huán)檢測(cè)、膜剝離、晶圓清洗全工序。全自動(dòng)FOUP晶舟上下料,微米級(jí)晶圓厚度均勻控制,全封閉無(wú)塵腔體,支持Si硅片、SiC/GaN化合物半導(dǎo)體晶圓加工,海量工藝配方存儲(chǔ),可對(duì)接MES系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)全流程數(shù)據(jù)追溯,適用于功率器件、存儲(chǔ)、MEMS芯片

一、日本 Adwill-Global RAD-2510F12Sa晶圓貼合研磨機(jī) 產(chǎn)品基礎(chǔ)信息

項(xiàng)目詳情
品牌型號(hào)Adwill-Global RAD-2510F12Sa 晶圓貼合研磨機(jī)
產(chǎn)品定位8/12寸半導(dǎo)體晶圓一體化貼合背面減薄量產(chǎn)設(shè)備
集成工序真空貼膜→濕式研磨→在線(xiàn)測(cè)厚→剝離→清洗一體化
核心主軸高精度空氣靜壓低振動(dòng)研磨主軸
適配晶圓硅晶圓、SiC/GaN/GaAs化合物半導(dǎo)體8/12寸晶圓

二、核心規(guī)格參數(shù)

參數(shù)項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格
兼容晶圓尺寸8英寸、12英寸標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶圓
研磨目標(biāo)厚度50μm ~ 700μm,微米級(jí)厚度公差控制
上下料方式全自動(dòng)FOUP標(biāo)準(zhǔn)晶舟真空機(jī)械手上下料
厚度控制非接觸在線(xiàn)實(shí)時(shí)測(cè)厚,進(jìn)給閉環(huán)自動(dòng)補(bǔ)償
貼合系統(tǒng)真空負(fù)壓無(wú)氣泡保護(hù)膜貼合模組
冷卻除塵循環(huán)純水濕式冷卻+多級(jí)硅粉粉塵回收過(guò)濾
控制系統(tǒng)工業(yè)觸控PLC,海量工藝配方存儲(chǔ)、批量計(jì)數(shù)
通訊拓展MES上位機(jī)數(shù)據(jù)對(duì)接,加工數(shù)據(jù)完整導(dǎo)出追溯
潔凈設(shè)計(jì)全封閉無(wú)塵加工腔體,門(mén)聯(lián)鎖安全停機(jī)防護(hù)
供電氣源AC380V工業(yè)供電,配套干燥潔凈壓縮空氣、純水循環(huán)系統(tǒng)

三、產(chǎn)品核心性能優(yōu)勢(shì)

1. 貼合研磨清洗一體化集成,精簡(jiǎn)產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備布局

單臺(tái)設(shè)備一站式完成晶圓貼膜、背面研磨、厚度檢測(cè)、保護(hù)膜剝離、純水清洗整套薄化工序,無(wú)需多獨(dú)立設(shè)備轉(zhuǎn)運(yùn)晶圓,縮短制程節(jié)拍,大幅節(jié)省無(wú)塵車(chē)間空間與設(shè)備采購(gòu)?fù)度搿?/p>

2. 空氣靜壓研磨主軸,低振動(dòng)降低晶圓加工缺陷

采用工業(yè)高精度空氣靜壓主軸,運(yùn)行振動(dòng)極低,研磨紋路均勻細(xì)膩,有效減少晶圓背面劃痕、邊緣崩邊、內(nèi)部應(yīng)力開(kāi)裂等不良,穩(wěn)定提升芯片封裝良率。

3. 在線(xiàn)厚度閉環(huán)控制,整片晶圓薄化均勻度優(yōu)異

加工全程搭載非接觸式厚度傳感器實(shí)時(shí)采集數(shù)據(jù),系統(tǒng)自動(dòng)微調(diào)研磨進(jìn)給量補(bǔ)償厚度偏差,整片晶圓厚度公差控制在微米級(jí)別,滿(mǎn)足超薄晶圓先進(jìn)封裝嚴(yán)苛工藝要求。

4. 真空無(wú)氣泡貼合模組,適配翹曲超薄晶圓

負(fù)壓真空貼合結(jié)構(gòu),保護(hù)膜與晶圓表面緊密貼合無(wú)氣泡滑移,研磨過(guò)程不會(huì)出現(xiàn)膜層起皺、偏移,有效規(guī)避晶圓邊緣研磨損傷。

5. FOUP全自動(dòng)密閉上下料,適配百級(jí)無(wú)塵量產(chǎn)車(chē)間

兼容半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)FOUP晶舟盒式自動(dòng)上下料,全程密閉無(wú)塵腔體隔絕外部顆粒污染,減少人工介入,滿(mǎn)足高潔凈度芯片制造車(chē)間生產(chǎn)規(guī)范。

6. 濕式冷卻粉塵集中回收,維持腔體長(zhǎng)期潔凈

循環(huán)純水研磨冷卻搭配多級(jí)硅粉塵過(guò)濾回收裝置,加工產(chǎn)生的硅粉集中收集處理,避免粉塵堆積污染晶圓,降低腔體清潔維護(hù)頻次。

7. 海量工藝配方一鍵調(diào)取,多品類(lèi)芯片快速換產(chǎn)

設(shè)備可存儲(chǔ)上百套貼合、研磨分段工藝參數(shù),切換功率器件、MEMS、存儲(chǔ)芯片晶圓時(shí)直接調(diào)取配方,大幅縮短產(chǎn)線(xiàn)換線(xiàn)調(diào)試工時(shí),提升設(shè)備稼動(dòng)率。

8. MES通訊數(shù)據(jù)導(dǎo)出,滿(mǎn)足半導(dǎo)體品質(zhì)審廠(chǎng)追溯

支持對(duì)接工廠(chǎng)上位MES系統(tǒng),每片晶圓加工厚度、研磨壓力、加工時(shí)長(zhǎng)等原始數(shù)據(jù)自動(dòng)存儲(chǔ)導(dǎo)出,形成完整品質(zhì)臺(tái)賬,符合半導(dǎo)體行業(yè)客戶(hù)審廠(chǎng)追溯審核標(biāo)準(zhǔn)。

四、日本 Adwill-Global RAD-2510F12Sa晶圓貼合研磨機(jī) 適用行業(yè)與應(yīng)用場(chǎng)景

  • 功率半導(dǎo)體制造產(chǎn)線(xiàn):IGBT、MOSFET、SiC碳化硅功率晶圓背面超薄減薄

  • 存儲(chǔ)芯片封裝工廠(chǎng):NAND Flash、DRAM存儲(chǔ)晶圓精密研磨加工

  • 射頻通信芯片車(chē)間:GaAs、GaN氮化鎵射頻化合物半導(dǎo)體晶圓薄化

  • MEMS傳感器生產(chǎn)線(xiàn):光學(xué)、壓力、加速度MEMS晶圓精密研磨

  • 先進(jìn)封裝研發(fā)實(shí)驗(yàn)室:2.5D/3D封裝超薄晶圓工藝驗(yàn)證測(cè)試


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